PECVD
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation d'un plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par une décharge électrique pouvant être générée à partir de sources radio-fréquences (13,56 MHz), micro-ondes (2,45 GHz) ou par une décharge électrique continue entre deux électrodes.

Ceci est un extrait de l'article PECVD de l'encyclopédie libre Wikipedia. La liste des auteurs est disponible sur Wikipedia.
Sur fr.wikipedia.org, l'article PECVD a été consulté 19 fois au cours des 30 derniers jours. (date: 09.09.2013)
Images pour PECVD
Miniature:
Original:
Résultats de la recherche sur Google et Bing
1
>30
1
Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma - Wikipédia
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour ...
fr.wikipedia.org/wiki/D%C3%A9p%C3%B4t_chimique_en_phase_vapeur_assist%C3%A9_par_plasma
2
>30
2
Plasma-enhanced chemical vapor deposition - Wikipedia, the free ...
Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate. Chemical ...
en.wikipedia.org/wiki/Plasma-enhanced_chemical_vapor_deposition
3
>30
3
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) - Dépôt ...
1 mars 2010 ... PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) - Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde ...
www.unilim.fr/spcts/PECVD-Plasma-Enhanced-Chemical.html
4
>30
4
V) Dépôts CVD assistés plasma
Le dépôt PECVD est donc fondé sur la création d'espèces ou d'éléments à déposer à basse température grâce à l'apport d'énergie sous forme ...
www.microelectronique.univ-rennes1.fr/fr/chap8e.htm
5
>30
5
PECVD - Oxford Instruments
... Plasma, ALD & Ion Beam > Process Type > PECVD. English, German, Japanese, Chinese. Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) ...
www.oxford-instruments.com/products/etching-deposition-and-growth/plasma-etch-deposition/pecvd
6
>30
6
Le CITRA - CVD : Procédé PECVD
Le procédé PECVD (pour Plasma Enhanced Chimical Vapor Deposition) est une technique qui est à mi-chemin entre les process PVD et CVD. De fait, il peut à ...
www.citra-limousin.com/fr/ts_cvd_4.php
7
>30
7
Réacteur de dépôt PECVD standard
REACTEUR DE DEPOT PECVD. Dans ce réacteur à basse pression, des dépôts de silicium amorphe, d'oxyde et de nitrure de silicium sont réalisés sur ...
www.laas.fr/files/reactPECVD.fr.pdf
8
>30
8
WHAT IS PECVD? Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ...
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) is an excellent alternative for depositing a variety of thin films at lower temperatures than those utilized ...
www.plasmaequip.com/WHAT%20IS%20PECVD.pdf
9
>30
9
pecvd - Plasma-Therm
For over 35 years, Plasma-Therm has catered to specialty markets including solid state lighting, wireless, MEMS, data storage, solar energy, nanotechnology, ...
www.plasmatherm.com/pecvd.html
10
>30
10
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
What is Plasma Enhanced Chemical. Vapor Deposition? □ CVD process that uses plasma. □ Uses cold plasma. □ Keeps wafers at low temperatures.
www.ece.umd.edu/class/enee416.F2007/GroupActivities/Presentation5.pdf
Résultats de la recherche pour "PECVD"
Google: env. 1.230.000
PECVD en science
[PDF]Croissance et caractérisation de nanostructures de ... - Epublications
nitrure d'aluminium par PECVD ... Maître de Conférences HDR, Université de Clermont-Ferrand,. ICCF ... Maître de Conférences, Université de Limoges, SPCTS.
Croissance et caractérisation de nanostructures de nitrure d ...
13 sept. 2013... taille) de nano-ilots d'AlN élaborés par PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) sur des substrats monocristallins plans ...
Piezoelectric aluminium nitride thin films by PECVD - Epublications
25 mars 2010 ... Couches minces piézoélectriques de nitrure d'aluminium par PECVD. Thèse de doctorat dirigée par Pascal TRISTANT. soutenue le 12 février ...
[PDF]Potentialités des procédés PECVD et plasmas d'arc pour la ...
Potentialités des procédés PECVD et plasmas d'arc pour la synthèse de nanotubes et nanofibres de carbone. T. M. Minéa. *. LPGP, UMR 8578, Université Paris ...
[PDF]Introduction générale - Université Mentouri de Constantine
UNIVERSITE MENTOURI-CONSTANTINE ... Département de physique-Université ... nouveaux matériaux élaborés par PECVD à basse température pourrant ...
Parcourir Université Hassan II Mohammadia - BEN M'SIK par Sujet ...
Parcourir Université Hassan II Mohammadia - BEN M'SIK par Sujet "PECVD" ... Belali, Saïd (Université Hassan II - Mohammedia, Faculté des Sciences Ben ...
[PDF]N - SurGeCo
CAS DES COUCHES MINCES PECVD a-SiC. X. N. Y ... Institut Européen des Membranes - CC 047, Université Montpellier 2 - Place Eugène Bataillon - 34095  ...
Amorphous Si Deposition Method Thanks Traditional PECVD ...
14 janv. 2013 ... Amorphous Si Deposition Method Thanks Traditional PECVD Insulator ... CNRS : UMR6164 – Université de Rennes 1 – Institut National des ...
PECVD | 198 personnes > - Viadeo.com
Poste actuel :IREIS, Ingénieur R&D , PVD/PECVD Coating Technologies; Poste précédent :CEA, Doctorant R&D. Ecole : Université Versailles Saint Quentin.
Machine de dépôt PECVD - Université Montpellier 2
Machine de dépôt PECVD. Mise à jour le Samedi, 14 Novembre 2009 09:16. Attention, ouverture dans une nouvelle fenêtre. Imprimer · Envoyer. Machine ...
Livres sur le terme PECVD
PECVD Grown DBR for Microcavity OLED Sensor
PECVD Grown DBR for Microcavity OLED Sensor
Brandon Scott Bohlen, 2007
A repeatable method for the manufacture of DBRs was designed. Three DBRs were grown on glass slides and measured with a spectrophotometer. The slides had reflectance of 75-85% with bandwidths of 170-180nm centered around 570-590nm.
Passivation de GaAs par déposition LF-PECVD du nitrure de silicium: GaAs passivation by LF-PECVD silicon nitride...
Passivation de GaAs par déposition LF-PECVD du nitrure de silicium: GaAs passivation by LF-PECVD silicon nitride...
Abdelatif Jaouad, 2011
Les performances de plusieurs dispositifs fabriqués sur des matériaux III-V sont lourdement affectées par la grande densité des états de surface qui sont localisés au voisinage du milieu de la bande interdite (niveaux profonds). Ces états électroniques sont responsables du pinning du niveau de Fermi, et empêchent l'émergence d'une technol...
Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and ...
Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and ...
Anthony C. Jones, Michael L. Hitchman, 2009
Plasma enhanced CVD (PECVD) has been employed since the mid-1960s for the formation of dielectric films at relatively low temperatures (up to 3001C). Other types of industrial PECVD equipment and processes have been developed with ...
Synthèse par PECVD et caractérisation de nanotubes de ...
Synthèse par PECVD et caractérisation de nanotubes de ...
Sébastien Point, 2005
Ce travail est consacré à l'étude de la synthèse de nanotubes de carbone (NTC) orientés par plasma froid basse pression excité par résonance cyclotronique électronique (ECR PECVD).
Progress in Plasma Processing of Materials 2003: Proceedings of the Seventh European Conference on Thermal Plasma...
Progress in Plasma Processing of Materials 2003: Proceedings of the Seventh European Conference on Thermal Plasma...
Pierre Fauchais, 2003
The TPP7 symposium was held in conjunction with the E-MRS 2002 Spring Meeting, Strasbourg, June 18 - 21, that highlighted recent advances in the development, understanding and modeling of advanced materials. Plasma processes for material treatment, finishing and coating are recognized as clean and innovative technologies and the TPP7 symposium matc...
Trends in Nanotubes Research
Trends in Nanotubes Research
Delores A. Martin, 2006
In the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) the gas is decomposed at lower temperatures by energy support from the plasma, which is either formed by direct current (DC-PECVD), microwaves (MW-PECVD) at 2.45 GHz or ...
SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, ...
SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, ...
D. Harame, 2008
30 20 10 -50 -40 -30 -20 -10 0 PECVD - 200sccm added H2 PECVD - 200sccm added H2 PECVD with no added H2 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Thickness (nm) PECVD on 400nm CVD with 40sccm B2H6 PECVD on 400nm CVD ...
Développement des demandes de recherche Google


Entrées blog pour le terme
PECVD
The design of the PECVD system has great impact on the production cost of such panel - Le blog de batterys.over-blog.com
The design of the PECVD system has great impact on the production cost of such panel, therefore most equipment suppliers put their focus on the design of PECVD for higher throughput, that leadsto lowe… Hébergé par OverBlog
batterys.over-blog.com/article-the-design-of-the-pecvd-system-has-great-impact-on-the-production-cost-of-such-panel-120770858.html
Maker Point of View: How to Fabricate a WEB PECVD Process Chamber Using Friction Stir Welding
earlgpowell.blogspot.com/2013/09/how-to-fabricate-web-pecvd-process.html
Raman and FTIR Studies on PECVD Grown Ammonia-Free Amorphous Silicon Nitride Thin Films for Solar Cell Applications
Conference Papers in Energy is a peer-reviewed, open access journal that publishes full conference proceedings in all areas of energy from a recent conference or workshop.
www.hindawi.com/cpis/energy/2013/837676/
"PECVD of GexS1−x Films for Nano-Ionic Redox Cond" by Muhammad Rizwan Latif, Maria Mitkova et al.
This study is related to fabrication and characterization of redox conductive bridge memristors (RCBM). An active region in RCBM is formed by chalcogenide glass (ChG) doped with silver (Ag). We report the application of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method for depositing ChG films which gives the advantage of flexibility in the composition and structure not easily achieved with sputtering or thermal evaporation. The growth kinetics of the deposition process, as well as the properties of the films is investigated. Optimal deposition conditions for reliable device performance are determined. The electrical characteristics of the devices fabricated at these conditions are also tested.
scholarworks.boisestate.edu/electrical_facpubs/232/
MOONS’(鸣志)MSST10-Q在扩散炉\PECVD上的应用_美莱克科技 - 阿里巴巴博客
设备功能介绍: 本设备主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片的扩散掺杂。扩散是半导体工艺生产中的一种关键工艺,通过扩散所形成的PN结,就是晶体硅太阳能电池的核心。 应用产品型号: MSST10-Q-RN、23HS3002-29、STM23S-…
blog.1688.com/article/i34720498.html
"MECHANICAL PROPERTIES OF PECVD BORON CARBIDE" by Dhairyashil Aher
To the best of our knowledge, the mechanical properties of PECVD boron carbide (BC) grown using ortho-carborane as a source molecule have never been investigated before. Therefore, this thesis is an attempt to apply the bulge test and the nanoindentation technique for the mechanical characterization of PECVD BC thin films. Mechanical properties such as the Young’s modulus, hardness and residual stress were investigated. The bulge test system using an interferometry technique to measure the deflection of membrane has been designed. Commercially available LPCVD SiNx membrane windows were used as a substrate to deposit BC films for the bulge test. The effect of SiNx membrane configuration on the stability of SiNx/BC bi-layer membranes is also studied. The bulge test was used to investigate the residual stress in annealed BC films with two different thicknesses close to 59 and 74 nm. The nanoindentation technique has been used to investigate the Young’s modulus and the hardness of as-deposited and annealed BC films deposited on silicon substrates. The properties of three film thicknesses close to 100, 200, and 300 nm have been investigated in each category. The compressive stress and the density of films were found to be the two important factors affecting the Young’s modulus and the hardness of BC films. The investigated properties are compared with literature values of BC films deposited by different forms of sputtering techniques. Spectroscopic ellipsometry was used to investigate film thickness. Advisor: Brian W. Robertson
digitalcommons.unl.edu/mechengdiss/20/
General Plasma Inc. » Archive » Industry Turns to General Plasma’s Large Area PECVD Cost Cutting Thin Film Dielectric Solution
TUCSON, ARIZONA – September 8, 2010 – General Plasma (GPI) is pleased to announce a leading manufacturer of large area glass products has chosen GPI’s revolutionary linear PECVD technology for a one meter pilot line. The new line will be used to develop new thin film products and make existing products more economical.
generalplasma.com/2010/09/08/industry-turns-to-general-plasma%E2%80%99s-large-area-pecvd-cost-cutting-thin-film-dielectric-solution/
Amtech to introduce new ion implant and PECVD products at SNEC - PV-Tech
Amtech Systems’ Chinese subsidiary, Kingstone Semiconductor, will introduce its ion implant system at the SNEC Exhibition, in Shanghai this week.
www.pv-tech.org/news/amtech_to_introduce_new_ion_implant_and_pecvd_products_at_snec
SPTS Introduces Low-Temperature PECVD Solution for 3D-IC Packaging Applications
SPTS Technologies, the company that provides wafer processing solutions globally for semiconductor packaging, MEMS, power management device markets and such related markets, has introduced a low temperature plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) solution that addresses the issues in via-reveal passivation or post-through silicon via (TSV) processing in packaging of 3D integrated circuits.
www.azonano.com/news.aspx?newsID=25588
Multifunctional Nanocomposite SiCON Thin Films by PECVD | Gangopadhyay Research Group | University of Missouri | Mizzou Engineering
engineering.missouri.edu/grg/2011/03/multifunctional-nanocomposite-sicon-thin-films-by-pecvd/
123
Plus d'entrées cyclopaedia
3. PED
6. PEE
9. PEEK
10. PEEL
11. PEEP
12. PEF
13. PEFC
14. PEG
15. PEGC
16. PEGE
17. PEGI
19. PEHD
20. PEI
21. PEIN
22. PEIO
23. PEK
24. PEL
25. PELD
26. PEM
27. PEMEX
28. PEMTec
29. PEN
32. PENS
33. PENTAX
35. PEOC